Aluminium arsenida
 | |
| Pengecam | |
|---|---|
No. Pendaftaran CAS |
|
Imej model 3D Jmol |
|
| ChemSpider |
|
| ECHA InfoCard | 100.041.126 |
| Nombor EC |
|
PubChem CID |
|
CompTox Dashboard (EPA) |
|
InChI
| |
SMILES
| |
| Sifat | |
Formula kimia | AlAs |
| Jisim molar | 101.9031 g/mol |
| Rupa bentuk | hablur jingga |
| Ketumpatan | 3.72 g/cm3 |
Keterlarutan dalam air | bertindak balas |
| Keterlarutan | bertindak balas di dalam etanol |
| Luang jalur | 2.12 eV (tidak langsung)[1] |
| Pegerakan elektron | 200 cm2/(V·s) (300 K) |
| Kekonduksian haba | 0.9 W/(cm·K) (300 K) |
Indeks biasan (nD) | 3 (inframerah) |
| Struktur | |
| Struktur kristal | Zink blend |
| Kumpulan ruang | T2d-F-43m |
| Geometri koordinasi | Tetrahedral |
| Termokimia | |
| Entropi molar piawai S | 60.3 J/mol K |
Entalpi pembentukan piawai (ΔfH⦵298) | -116.3 kJ/mol |
| Sebatian berkaitan | |
Kecuali jika dinyatakan sebaliknya, data diberikan untuk bahan-bahan dalam keadaan piawainya (pada 25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
 Y pengesahan (apa yang perlu:  Y/ N?) | |
| Rujukan kotak info | |
Aluminium arsenida (AlAs) ialah satu bahan semikonduktor dengan pemalar kekisi hampir sama dengan galium arsenida dan aluminium galium arsenida dan luang jalur lebih lebar daripada galium arsenida. (AlAs) boleh membentuk superkekisi dengan galium arsenida (GaAs) yang menyebabkan ciri semikonduktornya.[2] Oleh sebab (GaAs) dan (AlAs) mempunyai pemalar kekisi hampir sama, lapisan-lapisannya mempunyai sangat sedikit strain teraruh, yang membolehkannya ditumbuhkan tebal secara hampir arbitrari. Ini membolehkan mobiliti elektron tinggi prestasi sangat tinggi, transistor HEMT dan peranti kuantum lain.[3]
Rujukan
- ^ "AlxGa1-xAs". Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.
- ^ Guo, L. Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters. Journal of Nanoparticle Research. Jil. 13 Keluaran 5 ms. 2029-2039. 2011.
- ^ S. Adachi, GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties. (World Scientific, Singapura, 1994)
